Основные особенности IGBT Trench 4
Улучшение характеристик кристаллов IGBT Trench 4 достигнуто благодаря оптимизации основных элементов вертикальной структуры чипа: n-базы, n-Field Stop слоя, предназначенного для повышения напряжения пробоя, и эмиттера. В результате модернизации Trench-технологии удалось снизить суммарное значение потерь в широком диапазоне частот и обеспечить более плавный характер переключения. Не менее важным достижением является увеличение допустимой рабочей температуры Tjmax кристаллов с 150 до 175 °C. Благодаря этому применение нового поколения модулей IGBT позволяет увеличить запас по перегрузке в динамических режимах и повысить надежность работы преобразователей. После многочисленных тестов было принято решение выпускать компоненты 4-го поколения в двух версиях (Т4 и Е4), отличающихся скоростью переключения и динамическими свойствами при параллельной работе.
В таблице 1 приведены основные параметры IGBT различных типов при температуре Tj = 125 °C. Для корректности сопоставления для чипов 4-го поколения добавлены соответствующие величины при Tj = 150 °C.
Таблица 1. Сравнительные характеристики IGBT (рабочее напряжение 1200 В, номинальный ток кристалла — 100 А)
Параметр, единица измерения | SPT IGBT (серия 128) |
Trench IGBT3 (серия 126) |
Trench IGBT4 (серия 12T4) /150 °С |
Trench IGBT4 (серия 12Е4) /150 °С |
Напряжение насыщения VCEsat, В (@ ICnom, 25 °С) |
1,9 | 1,7 | 1,8 | 1,8 |
Напряжение насыщения VCEsat, В (@ICnom, 125 °С) |
2,1 | 2,0 | 2,1/2,2 | 2,1/2,2 |
Энергия переключения Еsw, мДж (@ 125 °С) |
22 | 27 | 19/21 | 22/24 |
Тепловое сопротивление Rth(j-c), °С/Вт | 0,17 | 0,22 | 0,27 | 0,27 |
Заряд затвора QG, мкКл (@ VGE = –8/+15 B) |
1,2 | 0,9 | 0,57 | 0,57 |
Температура кристалла Tjmax, °С | 150 | 150 | 175 | 175 |
Для наилучшей адаптации нового поколения силовых ключей к условиям применения было разработано две версии чипов Trench 4, отличающихся динамикой и получивших название Т4 и Е4. Минимальный уровень потерь переключения при наивысшей скорости коммутации di/dt обеспечивает вариант Т4. Однако большее значение di/dt означает и повышенный уровень перенапряжений на DC-шине в соответствии с выражением dV = LS × di/dt (LS — паразитная индуктивность цепи коммутации). Поэтому вариант Т4 было решено использовать для всех модулей с рабочим напряжением 600 В, а также для ключей 12 и 17 класса, номинальный ток коллектора которых не превышает 150 А. Что касается более мощных компонентов, то они будут доступны или в обеих версиях, или только в исполнении Е4, обеспечивающем меньший уровень перенапряжений и лучшее распределение токов при параллельном соединении (табл. 2).
Таблица 2. Семейства IGBT и версии кристаллов T4
Семейство модулей SEMIKRON |
Диапазон токов, А | Версия Trench 4 |
SEMITOP | 15–100 | T4 |
MiniSKiiP | 20–150 | T4 |
SEMITRANS 2 | 50–150 | T4 |
SEMITRANS 3, 4 | 150–600 | T4/E4 |
SEMiX | 150–600 | E4 |
SKiM 63/93 | 600–900 | E4 |
SKiiP | 200–2000 | E4 |
Как уже было отмечено, IGBT новой генерации отличаются пониженным уровнем динамических потерь. Значение параметра Eoff даже у «медленных» Е4 несколько меньше, чем у наиболее универсальных на данный день модулей SPT, а по сравнению с Тrench IGBT третьего поколения этот показатель улучшен на 30%. Причем это сравнение справедливо как для стандартных условий измерения (125 °С), так и для новых (155 °С), оговоренных в спецификации.
В зависимости от температуры кристалла, энергия потерь Esw может быть рассчитана в соответствии с выражением, где использован линейный температурный коэффициент ТС:
Esw(Tj) = Esw(150 °C) × (1 – TCid × (150 °C – Tj)),
где ТСI = 0,0034 для IGBT, ТСD = 0,006 для антипараллельного диода.
На графиках (рис. 1а) показаны измеренные и расчетные значения Esw для различных температур Tj.
Время спада tf и потери выключения Eoff для компонентов, производимых по Trench-технологии, практически не зависят от величины сопротивления затвора RG. Это справедливо и для элементов новой генерации, что подтверждается эпюрами, приведенными на рис. 1б. Судя по графикам на рис. 1в, время выключения tf в некоторой зоне даже спадает при увеличении RG. У кристаллов Е4 при тех же условиях наблюдается уменьшение di/dt, именно поэтому они выбраны для наиболее мощных версий силовых ключей. Благодаря данным свойствам кристаллов облегчается их надежная работа в рамках RBSOA и SCSOA (область безопасной работы в режиме выключения и КЗ) с учетом переходных перенапряжений (рис. 2а).
Коммутационные перенапряжения
Резкий спад тока при выключении силового модуля вызывает появление всплеска напряжения на его коллекторе. Коммутационные пики добавляются к напряжению питания DC-шины, и образующийся в результате суммарный сигнал VCE = VDC + dV может превысить напряжения пробоя IGBT. Особенно опасным данный эффект становится при отключении тока КЗ, когда значение di/dt максимально.
Необходимо также учесть, что предельное значение VCEmax является характеристикой кристалла, а из-за наличия внутренней индуктивности выводов LCE напряжение на чипах в импульсных режимах всегда выше, чем на DC терминалах модуля на величину LCE × di/dt. В зависимости от конструкции модулей и скорости выключения эта разница может достигать 100 и более вольт.
Измерения, проведенные на дополнительных сигнальных выводах коллектора и эмиттера (Ex, Cx), расположенных непосредственно рядом с чипом IGBT, показали, что наибольшее значение перенапряжения dVCEmax наблюдается в следующих случаях:
- На «холодном» кристалле (рис. 3а), при этом в зависимости от температуры чипа максимум может регистрироваться при различных значениях резистора затвора RG.
- При увеличении напряжения питания DC-шины (рис. 3б).
- При увеличении тока коллектора и di/dt (рис. 3в).
- При использовании более быстрых чипов, как показано на рис. 3г, (в нашем случае — Т4).
- При уменьшении длительности импульса проводимости tp (рис. 3в).
Интересной особенностью технологии Trench 4 является аномальная «прямая» зависимость скорости выключения di/dt и, соответственно, коммутационных перенапряжений от сопротивления затворного резистора RG(off). Характеристика возвращается к своему обычному виду только при достаточно больших величинах резистора затвора (> 20 Ом для модуля с номинальным током 300 А). При нормальных условиях эксплуатации это приводит к росту потерь выключения Eoff, однако столь большие номиналы RG(off) можно использовать только в режиме «плавного» отключения SSD (Soft Shut-Down) при срабатывании защиты от КЗ.
Для обеспечения безопасной работы в предельных динамических режимах (особенно при отключении токов КЗ) общей рекомендацией является установка специального снабберного конденсатора на терминалах питания модуля.
Защита от короткого замыкания
Важнейшим показателем IGBT, характеризующим надежность работы ключа в динамических режимах, является нормированное время короткого замыкания tsc — время, в течение которого модуль способен без повреждения проводить ток самоограничения, определяемый крутизной характеристики IC = f(VGE). До появления тонкопленочных технологий этот показатель обычно равнялся 10 мкс при комнатной температуре. Значение энергии, рассеиваемой в режиме КЗ, ограничивается максимально допустимой температурой кристалла Tj = 150 °C и предельным напряжением на шине питания Vdc = 800 B.
Существует несколько разновидностей состояния короткого замыкания, два из которых показаны на рис. 4:
- «полумягкий» — КЗ на кабель нормированной индуктивности, подключенный между IGBT и соответствующим потенциалом DC-шины;
- «жесткий» — КЗ при одновременном включении обоих ключей полумоста.
При напряжении питания VCC ≤ 600 В безопасное отключение IGBT должно происходить при номинальном значении резистора затвора и при условии достаточно быстрой реакции защиты по напряжению насыщения (например, когда она успевает отключать IGBT при токе КЗ ISC ≤ 2ICnom). При «жестком» КЗ пиковое значение тока ISC определяется распределенной индуктивностью цепи LSCmin и напряжением DC-шины. Время нарастания тока до выхода силового ключа из насыщения может быть приблизительно рассчитано по формуле tSC = (LSCmin × 3ICnom)/VCCmax. Схема защиты должна отключить IGBT до наступления этого состояния.
При напряжении на DC-шине, превышающем 600 В, рекомендуется использование режима «плавного» выключения (STO — Soft Turn-Off или SSD — Soft Shut-Down), то есть снизить скорость выключения. Этого можно достичь с помощью увеличения номинала резистора затвора RGoff или за счет использования специальной траектории изменения VGE, например введения промежуточной ступеньки управления VGoff = 0.
Точное значение сопротивления затвора для режима SSD определяется экспериментально, оно должно гарантировать отсутствие опасных выбросов напряжения при отключении тока КЗ. В нашем примере при VCC = 800 B для выключения модуля SEMiX с номинальным током 450 А используются режим SSD и резистор RGoff = 15 Ом (при номинальном значении 2 Ом). Кроме того, для применений высокой мощности рекомендуется установка в цепи затвора стабилитрона с напряжением 15 В. Это позволяет исключить всплеск напряжения на затворе вследствие эффекта Миллера и, соответственно, ограничить дальнейшее возрастание тока ISC.
Электромагнитная совместимость
Состав спектра электромагнитных помех инвертора зависит в основном от градиентов тока IC(t) и напряжения VCE (t), образующихся при коммутации силовых ключей. Для современных полупроводниковых модулей средней мощности достижимы скорости изменения напряжения до 10 кВ/мкс и тока — до 10 кА/мкс (при комнатной температуре). Вид типовой зависимости di/dt от резистора затвора для IGBT T4 с номинальным током 100 А показан на рис. 5а. С ростом температуры характер коммутации становится плавным, и указанные значения градиентов снижаются на 50–60%.
Параметры di/dt, dv/dt при включении могут быть определены соответствующим выбором RG. Зависимость между номиналом резистора затвора и градиентами тока и напряжения, а также потерями включения, является практически линейной.
Довольно неожиданным является тот факт, что скорость выключения Trench 4 почти не снижается с ростом сопротивления затвора, как показано на рис. 6. Параметр di/dt практически линейно зависит от тока коллектора IC и в очень малой степени — от напряжения DC-шины.
В определенном диапазоне увеличение номинала RG даже несколько повышает скорость выключения тока, и только при больших величинах сопротивления затвора (>10 RGnom) она снова начинает спадать. Этот эффект вызван накоплением носителей заряда в базе транзистора в момент выключения: при малых значениях RG электроны задерживаются в базовой области IGBT, большой накопленный заряд является причиной достаточно плавного наклона характеристики выключения. При увеличении резистора затвора MOS-канал IGBT-структуры оказывается полностью закрытым в момент, когда ток начинает снижаться. При этом электронов, которые могли бы создать дополнительный ток, уже нет, а оставшееся небольшое количество дырок быстро рассасывается, что приводит к увеличению скорости выключения [3].
Внутренний резистор затвора RGint
В зависимости от номинального тока кристалла ICnom SEMIKRON использует следующие номиналы затворных резисторов:
RGint = 10 Ом (ICnom = 75 A);
RGint = 7,5 Ом (ICnom = 100 A);
RGint = 5 Ом (ICnom = 75 A);
RGint = 2 × 5 Ом (ICnom = 300 A;
2 чипа в параллель с ICnom = 150 A);
RGint = 4 × 7,5 Ом (ICnom = 400 A;
4 чипа в параллель с ICnom = 100 A).
Отметим, что при нормировании динамических свойств IGBT внутренний резистор затвора не включается в справочное значение RG, под которым подразумевается только внешнее сопротивление. Тем не менее, величину RGint необходимо учитывать при расчетах нагрузочных характеристик драйвера: предельного тока управления IGM или минимального резистора затвора RGmin.
Антипараллельные диоды
Для того чтобы модернизированные кристаллы IGBT Т4 наиболее полно проявили свои преимущества, они должны использоваться с антипараллельными диодами, согласованными с ними по плотности мощности, статическим и динамическим характеристикам. Для решения этой задачи фирма SEMIKRON создала четвертое поколение быстрых диодов на основе собственной технологии CAL (Controlled Axial Lifetime), главными особенностями которой являются плавный характер переключения во всем диапазоне рабочих токов, высокий иммунитет к dI/dt и малый ток обратного восстановления.
При разработке диодов CAL4 основное внимание уделялось обеспечению плавной кривой обратного восстановления dIrr/dt и согласованию характеристик восстановления с динамическими свойствами Trench 4 IGBT. Усовершенствование структуры кристаллов позволило на 30% повысить допустимое значение плотности тока, при этом потери переключения остались на уровне, достигнутом в диодах предыдущей генерации — CAL3. Использование нового способа пассивации DLC (Diamond Like Carbon) дало возможность увеличить значение предельной рабочей температуры чипов до 175 °С.
Взаимозаменяемость
Для большинства применений замена модулей IGBT предыдущих серий на компоненты 4-го поколения дает очевидные преимущества: снижение уровня потерь, уменьшение коммутационных перенапряжений, улучшение электромагнитной совместимости. Существенно меньше оказывается потребляемая от драйвера мощность, так как величина заряда затвора QG для силовых ключей Trench 4 снижена более чем на 30%.
Однако для получения максимального эффекта от применения модулей новой генерации требуется некоторая адаптация схемы управления. В первую очередь рекомендуется изменить соответствующим образом резистор затвора RG. Если, например, SKM200GB12T4 установить вместо SKM200GB128D (SPT-IGBT), то величина RG должна быть уменьшена с 7 до 1 Ом. Использование номинала, рекомендованного для SPT, приведет к увеличению потерь включения с Eon(1 Ом) = 21 мДж до Eon (7 Ом) = 44 мДж (рис. 2).
Требования к дизайну DC-шины остаются прежними, главным из них является необходимость обеспечения минимального значения распределенной индуктивности. Для реализации этой задачи конструкция шины должна быть симметричной и копланарной, снабберные емкости должны быть установлены на терминалы питания каждого IGBT-модуля. Цепи управления IGBT должны быть максимально симметричными, соединение драйвера с индивидуальными резисторами затвора следует выполнять витой парой.
Параллельное соединение
Параллельное соединение модулей IGBT — обычный способ повышения выходного тока преобразователей. Основной проблемой при этом является выравнивание токов в статическом и динамическом режимах, а также обеспечение минимального и равного уровня коммутационных перенапряжений.
Версия чипов E4 с меньшей скоростью переключения и лучшими характеристиками выключения была разработана именно для обеспечения безопасной работы IGBT при их параллельном соединении. В ходе испытаний инвертора, состоящего из 6 модулей SEMiX 453GB12E4 (ICnom = 450 A), было доказано, что такая сборка способна надежно работать при напряжении DC-шины Vdc = 800 B и токе, равном двойному номинальному значению (6 × 2 × ICnom = 5400 A). Очевидно, что дизайн силовых соединений сборки был выполнен в соответствии со всеми стандартными требованиями (рис. 7а):
- низкоиндуктивная копланарная DC-шина;
- снабберный конденсатор на терминалах питания каждого IGBT;
- индивидуальная плата адаптера на управляющих выводах модулей;
- соединение драйвера с адаптерными платами с помощью витых пар одинаковой длины.
При расчете максимального тока группы параллельных ключей необходимо учитывать принятый для такого случая коэффициент снижения тока, составляющий 10–20%. Необходимость этого обусловлена неравномерностью распределения тока в ключах в динамическом режиме, которая, в свою очередь, вызвана асимметрией подключения АС-выводов шести элементов сборки. Цепь подключения ближайшего к точке объединения (в центре) модуля имеет минимальный импеданс цепи. Соответственно, ток выключения для этого IGBT будет наибольшим, что вызывает и соответствующее воздействие на динамические свойства схемы. Как показано на рис. 7б, токи параллельных модулей в процентном соотношении распределяются от 13,6 до 19% от суммарного значения (среднее значение — 16,6%). Распределение токов между верхним и нижним ключами полумоста, а также между модулями в режиме включения практически равномерное.
Стойкость к термоциклированию
Как уже было сказано, кристаллы T4/CAL4 могут надежно функционировать и при постоянной температуре чипов 150 °C, и ее повышении до 175 °C в режиме кратковременной перегрузки. Расширения диапазона рабочих температур при сохранении показателей надежности и стойкости к термоциклированию удалось добиться благодаря кардинальному усовершенствованию ряда технологических процессов, в первую очередь технологии ультразвуковой сварки выводов.
Ожидаемый ресурс для модулей серии 12Т4 составляет 20 000 циклов при градиенте температуры ΔTj = 125 К, что превышает значение, полученное по программе LESIT для модулей IGBT предыдущих поколений в стандартных конструктивах (рис. 8). Данные о надежности были использованы для составления таблиц соответствия компонентов различных серий, приведенных далее.
Для определения срока службы силовых ключей в реальных условиях эксплуатации проводятся различные виды ускоренных испытаний, к которым относятся и тесты на термоциклирование. Они проводятся при повышенных градиентах температуры (например, ΔTj = 100 K или ΔTj = 125 K), которые в несколько раз превышают величины, наблюдаемые, например, в циклическом режиме работы транспортных приводов. Соответствующее значение ресурса для реальных условий работы (ΔTj = 30…60) вычисляется на основании аппроксимированных кривых, построенных на основе результатов ускоренных тестов [5]. Графики, представленные на рис. 8, показывают зависимость вероятного количества циклов Nf до отказа 1% модулей от средней температуры кристалла Tjm и ее градиента ΔTj.
Таблица соответствия
Информация, приведенная в таблицах 3 и 4, определяет в первом приближении соответствие компонентов серий 126, 128 и Т4/Е4 в схеме 3-фазного инвертора с воздушным охлаждением при частоте переключений fsw = 4…8 кГц. Расчеты основаны на условии, что номинальная температура кристаллов Tj для 126-й и 128-й серий составляет 125 °C, в то время как чипы IGBT Trench 4 рассчитаны на более высокую рабочую температуру (Tjnom = 150 °C, Tjovl = 175 °C). Это означает, что модули новой генерации обеспечивают в инверторных применениях соответствующий запас, как по номинальному току, так и по току перегрузки. Обратите также внимание на широкую номенклатуру новых компонентов, позволяющую осуществить оптимальный выбор.
Таблица 3. Соответствие модулей семейства SEMITRANS серий 126, 128, Т4
Технология IGBT | Схема | Тип корпуса | ||
Trench 3 (126) | SPT (128) | Trench 4 (T4) | ||
SKM75GB128D | SKM50GB12T4 |
|
||
SKM100GB128D | SKM75GB12T4 | 2 | ||
SKM195GB126D | SKM145GB128D | SKM100GB12T4 | 2 | |
SKM150GB12T4 | 2 | |||
SKM200GB126D | SKM150GB128D | SKM100GB12T4G | 3 | |
SKM300GB126D | SKM200GB128D | SKM150GB12T4G | 3 | |
SKM400GB126D | SKM300GB128D | SKM200GB12T/E4 | 3 | |
SKM600GB126D | SKM400GB128D | SKM300GB12T/E4 | 3 | |
SKM400GB12T/E4 | 3 | |||
SKM195GAL126D | SKM145GAL128D | SKM150GAL12T4 | 2 | |
SKM200GAL126D | SKM150GAL12T4 | 3 | ||
SKM400GAL126D | SKM300GAL128D | SKM200GAL12T/E4 | 3 | |
SKM600GAL126D | SKM400GAL128D | SKM300GAL12T/E4 | 3 | |
SKM400GAL12T/E4 | 3 | |||
SKM145GAR128D | SKM150GAR12T4 | 3 | ||
SKM400GAR128D | SKM300GAR12T/E4 | 2 | ||
SKM400GAR12T/E4 | ||||
SKM300GA128D | SKM300GA12T/E4 | 4 | ||
SKM600GA126D | SKM400GA128D | SKM300GA12T/E4 | 4 | |
SKM800GA126D | SKM500GA128D | SKM400GA12T/E4 | 4 | |
SKM600GA12T/E4 | 4 |
Таблица 4. Соответствие модулей семейства SEMiX серий 126, 128, Т4
Технология IGBT | Схема | Тип корпуса | ||
Trench 3 (126) | SPT (128) | Trench 4 (T4) | ||
SEMiX252GB126HDs | SEMiX202GB128Ds | SEMiX151GB12E4s | ||
2s | ||||
SEMiX302GB126HDs | SEMiX302GB128Ds | SEMiX202GB12E4s | 2s | |
SEMiX452GB126HDs | SEMiX352GB128Ds | SEMiX302GB12E4s | 3s | |
SEMiX303GB12E4s | 3s | |||
SEMiX353GB126HDs | SEMiX303GB12E4s | 3s | ||
SEMiX503GB126HDs | SEMiX403GB128Ds | SEMiX303GB12E4s | 3s | |
SEMiX703GB126HDs | SEMiX553GB128Ds | SEMiX453GB12E4s | 3s | |
SEMiX604GB126HDs | SEMiX404GB12E4s | 4s | ||
SEMiX904GB126HDs | SEMiX754GB128Ds | SEMiX604GB12E4s | 4s | |
SEMiX604GB12E4s | 4s | |||
SEMiX101GD126HDs | SEMiX101GD128Ds | SEMiX71GD12E4s | 13 | |
SEMiX151GD126HDs | SEMiX151GD128Ds | SEMiX101GD12E4s | 13 | |
SEMiX251GD126HDs | SEMiX201GD128Ds | SEMiX151GD12E4s | 13 | |
SEMiX151GD12E4s | 13 | |||
SEMiX353GD126HDc | SEMiX303GD12E4c | 33c | ||
SEMiX503GD126HDc | SEMiX403GD128Dc | SEMiX303GD12E4c | 33c | |
SEMiX703GD126HDc | SEMiX553GD128Dc | SEMiX453GD12E4c | 33c | |
SEMiX453GD12E4c | 33c | |||
SEMiX151GAL12E4s | 1s | |||
SEMiX452GAL126HDs | SEMiX352GAL128Ds | SEMiX302GAL12E4s | 2s | |
SEMiX703GAL126HDs | SEMiX553GAL128Ds | SEMiX453GAL12E4s | 3s | |
SEMiX151GAR12E4s | 1s | |||
SEMiX452GAR126HDs | SEMiX352GAR128Ds | SEMiX302GAR12E4s | 2s | |
SEMiX703GAR126HDs | SEMiX553GAR128Ds | SEMiX453GAR12E4s | 3s |
Сказанное подтверждается графиками, приведенными на рис. 9, где показана зависимость максимального выходного тока 3-фазного инвертора от частоты коммутации для трех типов IGBT: Trench 3 (126-я серия), SPT (128-я серия) и Trench 4 (серия Т4/Е4). Расчеты выполнены для следующих условий эксплуатации:
- напряжение DC-шины Vcc = 650 В;
- выходное напряжение Vout = 400 В;
- частота выходного сигнала fout = 50 Гц;
- температура окружающей среды Та = 40 °C;
- тепловое сопротивление радиатора Rth(s-a) = 0,031 °C/Вт.
Следует отметить, что показанные вариан- ты замены справедливы не для всех применений и режимов эксплуатации. Предельный ток преобразователя зависит от ряда параметров, важнейшими из которых являются статические и динамические потери, а также их соотношение, все эти показатели достаточно корректно можно определить только для конкретных условий применения. Однозначный ответ на вопрос, какой силовой ключ оптимален для заданных условий работы, может дать только тщательный тепловой расчет. Наиболее удобным и простым средством проведения анализа температурных режимов является программа теплового расчета Semisel, интерактивная версия которой доступна на сайте компании SEMIKRON.
Заключение
Усовершенствованная технология Trench 4 позволяет расширить область рабочих частот, увеличить плотность мощности, обеспечить бóльший запас по перегрузкам. Для получения максимальной отдачи от использования 4-го поколения чипов IGBT компания SEMIKRON разработала новую серию антипараллельных диодов CAL 4, наилучшим образом согласованных с транзисторами по температурным и динамическим параметрам.
В ближайшее время технология Trench 4 должна быть внедрена во все семейства силовых ключей, выпускаемых SEMIKRON. Наиболее интересные результаты ожидаются от использования IGBT T4 в самой популярной и мощной серии модулей SEMIKRON — SKiiP. Мы обязательно расскажем об этом в одном из ближайших выпусков журнала.
За более подробной информацией можно обратиться в офис технической поддержки компании SEMIKRON в Санкт-Петербурге.
Литература
- Wintrich A. IGBT4 and free wheeling diode CAL4 in IGBT modules. AN-9001, SEMIKRON International, 2009.
- Annacker R., Herzer R. IGBT4 Technology Improves Application Performance. SEMIKRON International, 2007.
- Hüsken H., Frank W. Balancing losses and noise considerations for choosing the gate resistor. Nuremberg: PCIM, 2006.
- Freyberg M., Scheuermann U. Measuring Thermal Resistance Of Power Modules. PCIM. 2003. No 5.
- Колпаков А. О термоциклах и термоциклировании // Силовая электроника. 2006. № 2.
Technical Specifications
Materials
Aluminium and Steel Convector,
Fibreglass
Connections
1
«
2
Test pressure
12 Bar
Testing authority
EN442
Maximum operating pressure
10 Bar
Maximum working temperature
As to EN442 ∆t 130ºC
Packaging
Protective cardboard wrapping with shrink wrap polystyrene
Terms & Conditions
All products must be inspected once removed from the packaging and The Radiator Company
notified within 28 days of delivery of any scratches, blemishes or other damage.
The Radiator Company will then replace the radiator.
Imperfect radiators should therefore not be fitted and The Radiator Company will not accept
responsibility for replacement of scratched or damaged radiators once they have been fitted. This
includes any consequential loss or cost of fitting.
If The Radiator Company are not notified within 28 days of the date on the signed delivery note
then it will be deemed that The Radiator Company have fully complied with its obligations and
claims will not be considered.
Failure to comply with any of the above may invalidate any claims.
We recommend that after you check the product on delivery that it is stored in its packaging to
prevent damage prior to installation. The Radiator Company cannot accept responsibility for items
damaged after delivery.
Guarantees & Liabilities
As we are not the manufacturers of this product we will take all reasonable endeavours to make
over to you the benefit of any warranty or guarantee given by the manufacturer, which is usually five
years on most of our range. (Copies of specific guarantees for any of our products are available on
request).
The guarantees in all cases are subject to the products being installed in accordance with British
and or European standards as well as these fitting instructions. The guarantees in all cases are
restricted to the free of charge replacement or repair of the failed product only. Our liability will
under no circumstances extend beyond the repair or replacement of the product supplied by us.
Claims for either labour in replacement or damage to property are not admissible. Any goods that
are returned, in the event of a problem, will belong to The Radiator Company.
Please Note: In accordance with Part L1 2006 of the Building Regulations and BS7593:1992 code of
practice for the treatment of hot water and central heating systems, we strongly recommend flushing
the heating system post installation of new radiators and then adding the correct quantity and type of
inhibitor for use with your radiator and system to prevent corrosion. Damage caused to systems not
protected by a suitable inhibitor will not be covered by manufacturer’s guarantee.
If you have any questions please contact us on 01342 302250
www.theradiatorcompany.co.uk
Poly Ethyleen or
Trench Unit, Wood or Aluminium Grille
flow and return.
THE
RADIATOR
COMPANY
TREN1.2
If you have any questions please contact us on 01342 302250
www.theradiatorcompany.co.uk
Trench
Fittings Instructions
Please read these instructions and the terms and
conditions carefully prior to installation.
Failure to do so may invalidate the warranty.
PLEASE NOTE: Systems using micro bore
pipework must have adequate pressure and flow
rates for the number and style of radiators on the
system.
The Radiator Company
Units 13 — 14 Charlwoods Road
East Grinstead
West Sussex
RH19 2HU
5
-
Ароматизаторы, освежители воздуха Indirect Fired Make-Up Air
Trane Indirect Fired Make-Up Air Каталог
Trane Indirect Fired Make-Up Air Инструкция по монтажу и обслуживанию
Trane Indirect Fired Make-Up Air Краткое справочное руководство
-
Агрегатированные системы XL14c EarthWise__Hybrid
Trane XL14c EarthWise__Hybrid Инструкция по эксплуатации
-
Диспенсеры для напитков RTHD
Trane RTHD Инструкция по эксплуатации
-
Электроника разное T2GE Split System Outdoor
Trane T2GE Split System Outdoor Руководство по эксплуатации
-
Тепловые насосы 4TWX6048B
Trane 4TWX6048B Инструкция по эксплуатации
-
Вентиляторы Model Q
Trane Model Q Инструкция по эксплуатации
-
Водяные насосы CVGF
Trane CVGF Инструкция по эксплуатации
-
Кондиционеры SCWH
Trane SCWH Инструкция по эксплуатации
-
Кондиционеры THUMD500
Trane THUMD500 Руководство по эксплуатации
-
Контроллеры переменного объема хладагента Mini-4-Way Cassette-Indoor
Trane Mini-4-Way Cassette-Indoor Инструкция по монтажу и обслуживанию
-
Тепловые насосы 4TWX6036B
Trane 4TWX6036B Инструкция по эксплуатации
-
Термостаты RT-SVX19A-E4
Trane RT-SVX19A-E4 Инструкция по эксплуатации
-
Системы монтируемые на крыше Voyager 12.5 to 25 Tons
Trane Voyager 12.5 to 25 Tons Брошюра
Trane Voyager 12.5 to 25 Tons Каталог
Trane Voyager 12.5 to 25 Tons Инструкция по монтажу и обслуживанию
-
Термостаты VAV Systems VAV-SLM002-EN
Trane VAV Systems VAV-SLM002-EN Инструкция по эксплуатации
-
Электроника разное XT95
Trane XT95 Руководство по эксплуатации
-
Термостаты 350
Trane 350 Инструкция по эксплуатации
-
Контроллеры переменного объема хладагента Convertible Ceiling-Floor-Indoor
Trane Convertible Ceiling-Floor-Indoor Инструкция по монтажу и обслуживанию
-
Кондиционеры TRG-TRC016-EN
Trane TRG-TRC016-EN Инструкция по эксплуатации
-
Электроника разное ComfortLink II Zoning
Trane ComfortLink II Zoning Руководство по эксплуатации
-
Тепловые насосы WCY048G1
Trane WCY048G1 Инструкция по эксплуатации
-
Аксессуары для видеоигр ZN510 Controller
Trane ZN510 Controller Инструкция по эксплуатации
-
Кондиционеры RT-SVX10C-EN
Trane RT-SVX10C-EN Инструкция по эксплуатации
-
Увлажнители воздуха TCONT800
Trane TCONT800 Руководство по эксплуатации
-
Термостаты TCONT624AS42DA
Trane TCONT624AS42DA Инструкция по эксплуатации
-
Кондиционеры 4TTX6024
Trane 4TTX6024 Инструкция по эксплуатации
-
Компрессоры RTUB 207-224
Trane RTUB 207-224 Инструкция по эксплуатации
-
Печи TDH2C100A9V4VA
Trane TDH2C100A9V4VA Инструкция по эксплуатации
-
Тепловые насосы 22-5202-03-3605
Trane 22-5202-03-3605 Инструкция по эксплуатации
-
Аксессуары для видеоигр Tracer ZN521
Trane Tracer ZN521 Инструкция по эксплуатации
-
Электроника разное XL13c Gas/Electric
Trane XL13c Gas/Electric Руководство по эксплуатации
-
Электроника разное XR95
Trane XR95 Руководство по эксплуатации
-
Электроника разное XB90
Trane XB90 Руководство по эксплуатации
-
Датчики дыма BAS-APG001-EN
Trane BAS-APG001-EN Инструкция по эксплуатации
-
Инвалидные кресла MUA-SVP01A-EN
Trane MUA-SVP01A-EN Инструкция по эксплуатации
-
Электроника разное 4MXF8 Console Indoor
Trane 4MXF8 Console Indoor Руководство по эксплуатации
-
Электроника разное XL14c EarthWise鈩?
Trane XL14c EarthWise鈩? Руководство по эксплуатации
-
0 ₽ 0 товаров
Каталог инструкций по эксплуатации на русском языке
В нашем каталоге более 90.000 инструкций по эксплуатации и руководств пользователя на русском языке к бытовой технике и электронике. Чтобы скачать инструкцию по эксплуатации выберите интересую вас категорию или воспользуйтесь поиском в верхнем правом углу сайта.
Описание
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 0iMC
Руководство оператора по обслуживанию
Руководство оператора. Токарная обработка
Руководство оператора. Фрезерная обработка
Руководство по техобслуживанию
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 0iMD
Руководство по техобслуживанию
Руководство по эксплуатации на многоцелевых станках
Руководство по эксплуатации на токарных станках
Руководство по эксплуатации. Общее
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 0iMMB
Руководство по техобслуживанию
Руководство по эксплуатации
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 21iTB
Руководство по эксплуатации
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 21iM
Руководство по эксплуатации
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 30i 31i 32i — MA
Руководство по эксплуатации на многоцелевых станках
Руководство по эксплуатации на токарных станках
Руководство по эксплуатации. Общее
Руководство пользователя. Том 1
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ FANUC 30i 31i 32i — MB
Руководство по техобслуживанию
Руководство по эксплуатации на многоцелевых станках
Руководство по эксплуатации на токарных станках
Руководство по эксплуатации. Общее
ДОКУМЕНТАЦИЯ FANUC MANUAL GUIDE
B-63874RU_06 MANUAL GUIDE i
Руководство для токарных станков
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ SIEMENS 828D
Дополнительные функции
Измерительные циклы
Основные функции
Расширенное программирование
Справочник пользователя. Токарная обработка
Справочник по программированию. Основы
Справочник пользователя. Фрезерование
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ SIEMENS 840D
Компоненты управления
Расширенное программирование
Руководство NCU Руководство оператора HMI-Advanced
Руководство оператора HMI-Embedded
Руководство по диагностике
Руководство по программированию циклов
Руководство по программированию. Основы
Системные переменные
Списки параметров ЧПУ
Справочник по диагностике
Справочник по программированию измерительные циклы
Справочник пользователя. Токарная обработка
Справочник пользователя. Фрезерование
Справочник пользователя
Учебное пособие по токарной обработке ShopTurn
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ HEIDENHAIN iTNC530
Инструкция для оператора диалог открытым текстом
Инструкция по обслуживанию для оператора
Обзорный каталог Обучение программированию ЧПУ
Общие сведения Опции и аксессуары
Осевые и шпиндельные серводвигатели
Приводные системы и блоки
Руководство по использованию циклов измерительных систем
Руководство пользователя DIN ISO программирование
Руководство пользователя по программированию Smart.NC
Руководство пользователя по программированию открытым текстом
Руководство пользователя по программированию циклов
Системы с OEM модулем
Системы с интерфейсом HSCI
Функции адаптивного контроля
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ HEIDENHAIN iTNC620
Обучение программированию ЧПУ (1)
Опции и аксессуары
Осевые и шпиндельные сервоприводы
Приводные системы и блоки
Руководство по программированию V600
Руководство пользователя V530
Руководство пользователя V600
Руководство пользователя диалог открытым текстом
Руководство пользователя по DIN ISO программированию
Руководство пользователя по программированию циклов
Системы с интерфейсом HSCI
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ MITSUBISHI M70
Программирование NAVI LATHE
Программирование NAVI MILL
Руководство по программированию
ДОКУМЕНТАЦИЯ ЧПУ MITSUBISHI M700
Mitsubishi M700_70 Руководство по программированию (токарная версия) IB-1500057(RUS)D
Инструкция по эксплуатации
Программирование NAVI LATHE
Программирование NAVI MILL
Руководство по программированию L версии
Руководство по программированию M версии